State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology (HIT), Harbin, China;
Bonding; Electrodes; Joints; Nickel; Tin; Welding; Wires; bonding mechanism; parallel gap resistance bonding; process parameter; temperature field simulation;
机译:在聚合物基板上覆盖100μm厚芯片的高台阶覆盖率的Cu侧向互连-引线键合的另一种方法
机译:核电站厚不锈钢热线窄间隙激光垂直焊接的过程稳定性与参数优化
机译:通过磁性组装和边缘引线键合垂直集成微芯片
机译:3D组件垂直互连的平行间隙电阻厚引线键合
机译:Taguchi实验设计(DOE)在优化与厚膜基板的引线键合中的应用。
机译:基于平行间隙电阻微挖的超滑动PTW8线与Au厚膜的连接方法
机译:用EFIE圆柱传导模式基函数分析键合线互连中的水平和垂直耦合