HEMTs; circuit simulation; equivalent circuit; optimization; semiconductor device modeling and switching application; tuning;
机译:通过修改负差分电导(NDC),电流崩塌,自热和优化双异质结构来改善AlGaN / GaN-HEMT的漏极电流
机译:Algan / gan Hemts直流特性包括自热效应和非线性极化的热模型
机译:AlGaN / GaN HEMT包括自热和环境温度影响的经验大信号建模的电热模型
机译:具有自加热效应的可扩展直流HEMT模型的多器件优化
机译:混合谐振开关电容器DC-DC转换器的建模,优化和比较
机译:在cTn和Tm DCM突变体中的肌节力学多尺度建模的见解和挑战-基因型到细胞表型
机译:CVD-钻石中Algan / GaN Hemts中直流和RF性能的自热效应研究
机译:aEDC VKF风洞a(Oa115)中0.015尺度空间穿梭轨道模型49-0(140a / B / C修改)的微分电子效应侧向控制优化和高度铰接瞬间调查