Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology, Kyoto, Japan;
Analytical models; Current-voltage characteristics; Indium gallium arsenide; Logic gates; MOSFET; Modulation; Semiconductor device modeling; InGaAs n-channel MOSFETs; analytical current model; channel length modulation;
机译:关于n沟道MOSFET热载流子退化的沟道长度依赖性
机译:具有极浅的源极-漏极结的亚微米级栅长p沟道和n沟道MOSFET
机译:HfO2 / Al2O3 / InGaAs栅堆叠的MOSFET中电子迁移率对栅极电压扫描宽度和沉积温度的依赖性
机译:InGaAs N沟道MOSFET沟道长度调制栅极电压依赖性
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:衬底电流中的电子-电子相互作用特征峰与n沟道硅MOSFET的栅极电压特性的关系