首页> 外文会议>2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration >Via-last/backside-via 3D integration using a visible-light laser debonding technique
【24h】

Via-last/backside-via 3D integration using a visible-light laser debonding technique

机译:使用可见光激光剥离技术的Via-last /背面通孔3D集成

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

A visible-light laser debonding technique is introduced for via-last/backside-via 3D integration. Temporary bonding of 12-inch wafers with a temporary glue and the subsequent wafer thinning processes give small TTV within 1 µm by using an auto-TTV functions. Cu-TSV daisy chains with TSV diameters of 5 µm are formed in 50-µm-thick thinned Si wafers.
机译:引入了可见光激光剥离技术,以实现通孔/后通孔3D集成。通过使用自动TTV功能,使用临时胶临时粘合12英寸晶圆并进行随后的晶圆减薄工艺,可在1 µm内获得较小的TTV。 TSV直径为5 µm的Cu-TSV菊花链在厚度为50 µm的薄化Si晶片中形成。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号