Defects study in IR SWIR HgCdTe photodetectors using DLTS

机译：使用DLTS的IR SWIR HgCdTe光电探测器中的缺陷研究

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The traps in IR SWIR HgCdTe n+/p photodetectors are studied using DLTS. Two hole trap are found, one at low temperature (Ea≈ 0.19 eV) and the other above 250K. The low temperature peak is found to allow the fitting of dark current data recorded from different samples.

机译：使用DLTS研究了IR SWIR HgCdTe n + / p光电探测器中的陷阱。发现了两个空穴陷阱，一个陷阱处于低温状态（Ea≈0.19eV），另一个处于250K以上。发现低温峰值可以拟合从不同样本记录的暗电流数据。

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来源
《2014 11th International Workshop on Low Temperature Electronics》|2014年|9-11|共3页
会议地点 Minatec(FR)
作者
Brunner A.; Rubaldo L.; Berthoz J.; Bauza D.; Reimbold G.;
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作者单位

SOFRADIR, 43-47 rue Camille Pelletan, 92290 Ch#x00E2;

tenay-Malabry France;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
DLTS; Defects; HgCdTe; IR photodetector;

机译：DLTS；缺陷； HgCdTe;红外光电探测器;

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