降低微结构硅基光电探测器表面缺陷的方法及光电探测器

摘要

本发明涉及光电探测技术领域，具体公开一种降低微结构硅基光电探测器表面缺陷的方法。本发明的方法包括表面沾污去除，探测器微结构表面处理过程，探测器表面沾污去除，器件退火过程等步骤。本发明的方法在降低缺陷的同时，对于微结构硅基光电探测器件表面的微结构和超饱和掺杂层的功能型没有降低，甚至对于微结构形貌特征还有一定的改善作用，进一步降低了微结构硅基光电探测器表面微结构的粗糙程度，从而使微结构硅基光电探测器件拥有更好的性能，每个步骤都可以于现有的CMOS工艺相集成，拥有非常广泛的适用性和应用潜力。