Integrated Nanotechnology Lab, Electrical Engineering, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabiac;
Tungsten disulfide (WS2); chemical vapor depostion (CVD); thin film transsitor (TFT);
机译:基于磁控溅射的薄膜太阳能电池二硫化钨(WS2)薄膜制备路线
机译:通过控制ZnO薄膜生长的Vl / ll比并使用改良的薄膜晶体管层结构来改善金属有机化学气相沉积生长的ZnO薄膜晶体管的特性
机译:工艺参数对金属有机化学气相沉积生长氧化钨基薄膜的结晶度,形貌和组成的影响
机译:基于化学气相沉积的钨二硫化物(WS2)薄膜晶体管
机译:金属有机和气溶胶辅助化学气相沉积。硫化亚铜,二硫化钼/氧化钛和金属银薄膜的基于二硫代氨基甲酸酯和膦基硼酸酯配体的前体的开发和应用
机译:高迁移率和空气稳定的单层WS2场效应晶体管夹在化学气相沉积生长的六角形BN膜之间
机译:高迁移率和空气稳定的单层WS2场效应晶体管夹在化学气相沉积六方BN膜之间