基于Langmuir-Blodgett技术制备的二硫化钨可饱和吸收体在调Q固体激光器中的研究

摘要

基于Langmuir-Blodgett (LB)方法,研究了新型二硫化钨可饱和吸收体应用于Nd∶GdVO4晶体中实现了Q激光的输出.结果表明,通过LB技术在石英玻璃片上制备的二硫化钨可饱和吸收体表面均匀,有利用实现稳定调Q脉冲输出.通过调节谐振腔,在泵浦功率为5.1W时实现了最窄脉冲宽度为337 ns的调Q激光输出,相对应的重复频率为614.8 kHz,平均输出功率为811mW,斜效率达到36.100.