IBM at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203 USAc;
机译:通过使用负性显影光刻和蚀刻光刻图案,实现具有自对准的56 nm节距的铜双大马士革互连
机译:具有EUV自对准双重图案化的关键亚30纳米间距Mx电平图案化的自对准阻挡集成演示
机译:自对准双图案化工艺用于45 nm节距的减法Ge鳍制造
机译:48nm间距Cu双层镶嵌使用自对双图案化方案互连
机译:自对准双图案的蚀刻研究
机译:铜双镶嵌互连的早期电迁移失败的紧凑模型
机译:在Via-Below和Via-above Cu双镶嵌互连中的致命空隙尺寸比较