Rochester Institute of Technology.;
机译:具有EUV自对准双重图案化的关键亚30纳米间距Mx电平图案化的自对准阻挡集成演示
机译:背接触式Si异质结太阳能电池的发射极构图,采用激光写入掩模层进行蚀刻和自对准钝化(LEAP)
机译:通过自对准各向异性刻蚀使具有锯齿形边缘的石墨烯图案化
机译:刻蚀和沉积工艺对自对准双图案化过程中形成的间隔物宽度的影响
机译:自对准DNA低聚物和DNA低聚物在二氧化硅/硅上的EBL图案化阳离子SAMS上的沉积[100]
机译:深纳米孔的液滴刻蚀用于填充自对准的复杂量子结构
机译:间隔金属型自对准双/四重图案光刻的详细布线