Institute of Electro-Optical and Material Science, National Formosa University, No. 64, Wunhua Rd., Huwei, Yunlin County 632, Taiwan;
机译:使用双等离子体增强的金属有机化学气相沉积系统提高了掺铝氧化锌的InGaN / GaN发光二极管的效率
机译:蓝宝石上金属有机化学气相沉积法生长的InGaN / GaN发光二极管的边缘发射电致发光偏振研究(0001)
机译:通过有机金属化学气相沉积法在带图案的蓝宝石衬底上生长具有SiN_x中间层的a面InGaN发光二极管的特性
机译:使用双等离子体增强金属有机化学气相沉积在蓝宝石上生长的铝掺杂氧化锌的优化,用于InGaN / GaN发光二极管
机译:金属有机化学气相沉积生长的铟镓氮基发光二极管
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:冶金化学气相沉积在蓝宝石和ALN模板上生长的Ingan / GaN多量子井太阳能电池的比较研究