School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, San 56-1, Sillim-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea;
MIS structure); Siinf3/infNinf4/inf based RRAM;
机译:具有金属-绝缘体-硅结构的基于Si_3N_4的RRAM中的双极电阻开关特性研究
机译:原子层制备的Pt和TiN涂层衬底上HfO
机译:TaO2 RRAM的双极电阻切换特性
机译:基于SI3N4的RRAM的双极电阻切换特性,MIS(金属绝缘体 - 硅)结构
机译:电阻式随机存取存储器(RRAM)中编程能量控制开关的功效
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:基于SI3N4的纳米纳米电阻开关存储器的多电平切换特性,用于内存计算应用的阵列仿真
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。