Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austriac;
机译:对硅-碳源-漏极应变n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中漏极电流波动的理解
机译:离子屏蔽对液控纳米线FET中低频漏极电流波动的影响
机译:金属栅极功函数变化对沟道不掺杂的鳍式场效应晶体管亚阈值漏极电流波动的影响
机译:了解相关漏极和栅极电流波动
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:杏仁核激活的功能磁共振成像测量结果与附近静脉引流远处大脑区域的刺激相关信号波动相混淆
机译:动态门偏置期间随机电报噪声谱对漏极电流波动的影响