Department of Electrical and Computer Engineering, University of North Carolina at Charlotte, Charlotte, North Carolina 28226, USA;
InGaN MQWs; MOCVD; photoluminescence inhomogeneity; scanning confocal microscopy;
机译:共聚焦显微镜和TRPL光谱研究InGaN / GaN MQW中的PL空间变化
机译:共聚焦扫描激光显微镜探测InGaN / GaN的亚微米级光致发光
机译:蓝光InGaN / GaN MQW中载流子定位,载流子传输和载流子复合的光学表征
机译:不同生长参数蓝色发射ingan / GaNMS中光致发光空间变化的共聚焦显微镜研究
机译:发射蓝光的InGaN / GaN MQW中不均匀性的光学表征。
机译:共聚焦光致发光研究以识别基础堆叠缺陷在半极性InGaN / GaN发光二极管的光学特性中的作用
机译:GaN和InGaN MQW结构的MOVPE生长期间的原位光致发光测量