Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute (FEAT), TCI-A37, 2-1-6 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan;
机译:基于自旋转矩磁隧道结的伪自旋晶体管架构的非易失性静态随机存取存储器和非易失性触发器的非易失性门控现场可编程门阵列
机译:富勒烯衍生物嵌入的纳米间隙场效应晶体管及其非易失性存储应用
机译:使用InP纳米粒子和聚苯乙烯层的混合复合材料制造的非易失性存储设备的存储能力因比例缩小而变化
机译:4KB非易失性纳米盖内存(NGPM),具有1 NS编程能力
机译:基于非易失性存储器字段可编程门阵列的重新配置优化
机译:一次性编程非易失性存储器中使用的单个多晶硅栅全能无结鳍式场效应晶体管
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件,使用p型硅纳米线通道
机译:具有Ram功能和内在辐射硬度的新型非易失性存储器