Dept. of Electronics Eng. Inst. of Electronics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.;
机译:具有二进制字线升压控制,纹波位线和自适应数据感知写辅助的40 nm 512 kb交叉点8 T流水线SRAM
机译:具有扩展的写入/读取稳定性的差分数据感知功率上电(D $ ^ {2} $ AP)8T SRAM单元,适用于更低的VDDmin应用
机译:具有数据感知写辅助功能的40 nm位交错12T亚阈值SRAM
机译:55nm 0.5V 128KB交叉点8T SRAM,具有数据感知动态电源写入辅助
机译:具有数据感知动态电源写入辅助功能的55nm 0.5V 128Kb交叉点8T sRam