Microsystem Engineering Centre, School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Edinburgh, United Kingdom, EH14 4AS;
机译:3-D硅通孔应用中硅沟槽的聚合物填充
机译:通过金属有机化学气相沉积法在n + Si衬底上的AlN缓冲层中通过用n-AlGaN填充通孔来形成导电自发通孔,并将其应用于垂直深紫外光电传感器
机译:使用带有通孔的聚合物电介质和银导电油墨的全喷墨印刷RF电感器和电容器
机译:通过导电墨水填充硅通孔的进展
机译:玻璃插入液的发展:通过玻璃通孔的超格式填充过程中添加剂的功能和还原行为
机译:通过优化溅射和电镀条件改善硅通孔的完全填充
机译:通过金属有机化学气相沉积用n-alGaN填充通孔,在n + si衬底上的alN缓冲层中形成导电自发通孔,并应用于垂直深紫外光传感器