Extending lasing wavelength on InP with GaAsSb / GaInAs type-II active regions

机译：通过GaAsSb / GaInAs II型有源区扩展InP上的激光波长

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We present a new concept for type-II lasers on InP, utilizing W-shaped GaAsSb/GaInAs active regions. First lasers demonstrate emission at 2.55μm up to 42°C in pulsed mode and continuous operation at 2.31μm up to 0°C.

机译：我们提出了一种利用W形GaAsSb / GaInAs有源区在InP上进行II型激光器的新概念。第一批激光器以脉冲模式在高达42°C的温度下以2.55μm的辐射发射，并在高达0°C的2.31μm处连续发射。

著录项

来源
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》|2012年|p.22- 23|共2页
会议地点 San Diego CA(US);San Diego CA(US)
作者
Sprengel Stephan; Vizbaras Kristijonas; Andrejew Alexander; Gruendl Tobias; Geiger Kathrin; Boehm Gerhard; Grasse Christian; Amann Markus-Christian;
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作者单位

Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 4, 85748 Garching, Germany;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类半导体激光器件;半导体激光器件;
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