VLSI Design Lab., ABV-IIITM Gwalior, Gwalior, India;
机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12μA/ Mb泄漏SRAM设计,并具有针对移动应用的集成式减少泄漏功能
机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12 $ mu $ A / Mb泄漏SRAM设计,具有针对移动应用的集成式泄漏减少功能
机译:渐变沟道掺杂无结MOSFET:潜在的高性能和低功耗漏电器件,适用于纳米电子应用
机译:DQWRTD MOSFET,用于减少泄漏和低功耗应用
机译:用于低压低功率应用的非均匀掺杂深亚微米口袋MOSFET的设计和建模
机译:用于低功率单片集成Si光学互连的高光敏性Ge-dot光电MOSFET
机译:用于低压低功率应用的非均匀掺杂深亚微米口袋MOSFET的设计和建模
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发