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史凌峰; 王庆斌; 许文丹; 苗紫晖;
西安电子科技大学超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室;
陕西西安710071;
西安电子科技大学电路设计研究所;
上海卫星工程研究所;
上海200240;
有源功率因数校正; 低功耗; 电平移位; 功率MOSFET;
机译:纳米级MOSFET建模:第1部分:用于低功耗模拟电路设计的简化EKV模型
机译:用于低压低功耗模拟电路设计的批量驱动浮栅和批量驱动准浮栅技术
机译:挑战! 电路设计<8th>通过从缓冲电路获得MOSFET驱动IC的功率降低损耗:用于单相200V的荧光逆变器
机译:用于SiC MOSFET的闸门驱动电路设计和栅极驱动器电源结构
机译:使用BSIM3v3进行超低功耗电路设计的MOSFET亚阈值区域建模。
机译:用于辐射硬化电荷敏感放大器的集成电路设计最多2个MRAD
机译:用于单片功率mOsFET驱动器的集成低功耗和高带宽光隔离器
机译:用于异常事件检测器的低功耗数字集成电路设计
机译:使用MOSFET作为开关及其驱动电路设计的串联-并联可重构电池电压均衡电路
机译:降低功耗的MOSFET驱动器
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