机译:渐变沟道掺杂无结MOSFET:潜在的高性能和低功耗漏电器件,适用于纳米电子应用
LEA, Department of Electronics, University of Batna 2;
LEA, Department of Electronics, University of Batna 2,LEPCM, University of Batna1;
Junctionless; MOSFET; Leakage power; Doping engineering; High-k gate dielectric;
机译:分级频道掺杂工程在提高超低漏电功率应用中的无连接GAA MOSFET性能方面的作用
机译:沟道掺杂和隔离结构对低功率无结MOSFET的模拟/ RF性能的影响
机译:具有横向渐变掺杂通道的无结MOSFET,适用于模拟/ RF应用
机译:适用于低功耗数字逻辑应用的具有不同栅极材料的无结双栅极嵌入式沟道(JL-TGRC)MOSFET的温度可靠性
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:低功耗高性能动态阈值MOSFET的通道轮廓优化和器件设计