Department of Electronic Engineering and Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, NT., Hong Kong, China;
机译:流致残余应力对断裂参数影响的光弹性研究
机译:非晶硅钌薄膜的能带工程及其在硅衬底背面结合纳米孔图案的近红外吸收增强
机译:在硅衬底上沉积的非晶镧铜薄膜的空气退火期间形成的热应力
机译:红外光弹性硅基板中薄膜边缘诱导应力研究
机译:多晶硅的近红外光弹性及其与面内残余应力的关系。
机译:用光弹性法比较根管中纤维桩副桩和铸造桩引起的应力
机译:无定形硅钌薄膜的带工程及其近红外吸收增强与硅衬底后表面上的纳米孔图案联合