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【24h】

1.5-μm Polarization-insensitive Strained MQW Superluminescent Diode

机译：1.5μm偏振不敏感的应变MQW超发光二极管

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来源
《1989 IEEE international symposium on circuits and systems 》|1989年|p.18-21|共4页
会议地点 Portland OR(US);Portland OR(US)
作者
Mikami O.; Noguchi Y.; Magari K.; Suzuki Y.;
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作者单位

Morinosato Wakamiya, Japan;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类微电子学、集成电路（IC） ; 设计与性能分析 ;
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1. Polarization-insensitive superluminescent diode at 1.5 mu m with a tensile-strained-barrier MQW [J] . Mikami O., Noguchi Y. IEEE Photonics Technology Letters . 1992 ,第7期

机译：极化不敏感的MQW，1.5微米的对极化不敏感的超发光二极管
2. The effect of temperature dependent processes on the performance of 1.5-/spl mu/m compressively strained InGaAs(P) MQW semiconductor diode lasers [J] . Sweeney S.J., Phillips A.F. IEEE Photonics Technology Letters . 1998 ,第8期

机译：温度相关工艺对1.5- / splμm/ m压缩应变InGaAs（P）MQW半导体二极管激光器性能的影响
3. The temperature dependence of 1.3- and 1.5-/spl mu/m compressively strained InGaAs(P) MQW semiconductor lasers [J] . Phillips A.F., Sweeney S.J. IEEE journal of selected topics in quantum electronics . 1999 ,第3期

机译：1.3和1.5 / splμm/ m压缩应变InGaAs（P）MQW半导体激光器的温度依赖性
4. 1.5-/spl mu/m Polarization-insensitive Strained MQW Superluminescent Diode [C] . Mikami, O., Noguchi, . 1992

机译：1.5- / splμm/ m偏振不敏感的应变MQW超发光二极管
5. 1.55 um aluminum gallium indium arsenide strained MQW laser diodes. [D] . Yang, Chi. 2009

机译：1.55 um铝镓铟砷应变MQW激光二极管。
6. GaAs-Based Superluminescent Light-Emitting Diodes with 290-nm Emission Bandwidth by Using Hybrid Quantum Well/Quantum Dot Structures [O] . Siming Chen, Wei Li, Ziyang Zhang, 2015

机译：通过使用混合量子阱/量子点结构的具有290nm发射带宽的基于GaAs的超发光发光二极管
7. Effect Of AlGaN/GaN Strained Layer Superlattice Period On InGaN MQW Laser Diodes [O] . Monica Hansen, Amber C. Abare, Peter Kozodoy, 2000

机译：AlGaN / GaN应变超晶格周期对IngaN MQW激光二极管的影响

1.5-μm Polarization-insensitive Strained MQW Superluminescent Diode

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