Si基腔外键合型共振腔增强InGaAs探测器

摘要

论文介绍了利用溶胶凝胶(sol-gel)键合技术制作的Si基集成共振腔增强型(RCE)光电探测器。键合界面在RCE结构的下DBR和Si衬底之间，键合温度为300℃。器件峰值响应波长在1552.7nm，峰值半高宽(FHWM)为6.4nm，响应度为0.6A/W，带宽为17.05GHz。