Ga掺杂对Fe4N材料电磁性能的影响

摘要

采用固气反应法合成不同掺Ga量的GaxFe4-xN(0≤x≤0.9)粉体,用10wt％石蜡粘结制备成块体材料,研究了Ga掺杂对Fe4N磁体的晶体结构、饱和磁化强度、矫顽力和复磁导率的影响.结果表明,在完全固溶范围内,Ga掺杂会导致Fe4N晶格常数a增大,随着掺杂量x的增大a线性增大;GaxFe4-xN的饱和磁化强度随着掺Ga量的增大线性降低;适量掺Ga有利于降低Fe4N粉体的矫顽力Hc,当掺杂量x在0.4～-0.6这个范围时,Hc达到最低值10 Oe;在10 MHz～1GHz频段范围内,微量掺杂在一定程度上能够提高GaxFe4-xN的起始磁导率及虚部最大值,但降低了其截止频率,而当Ga掺杂量较高时Fe4N磁导率会显著降低.