CCD的辐射损伤参数测试方法

摘要

为了深入开展CCD的辐射效应研究,建立了CCD的辐射损伤参数测试方法,与新疆理化所现有的光电成像器件辐射效应测试系统相结合,能准确、高效地实现CCD辐射损伤参数的定量测试与分析.可测试的参数包括暗信号、电荷转移效率、饱和输出电压、固定图像噪声、光响应非均匀性以及光谱响应等.应用此方法获得了某TDI-CCD在60Co-γ射线源辐照下的参数变化规律.结果表明,该测试方法有利于CCD辐射损伤的分析,可为CCD的辐射效应研究、抗辐射性能评估提供良好的试验技术支撑.

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