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HEMT掺杂浓度对温度分布的影响

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当高电子迁移率晶体管HEMT(high electron mobility transistor)特征尺度与声子的平均自由程相当时,传统的宏观传热理论难以精确描述其内部传热的过程,本文基于微/纳尺度,建立了描述HEMT内部传热特征的格子Boltzmann模型,计算模拟其内部电子、声子碰撞、迁移过程,分析不同掺杂浓度对HEMT温度分布的影响.

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来源
《江苏省工程热物理学会第六届学术会议》|2012年|167-172|共6页
会议地点南京
作者
王博; 李强; 宣益民;
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作者单位

江苏省工程热物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN32:TN301;
关键词
半导体器件; 高电子迁移率晶体管; 掺杂浓度; 温度分布;
入库时间 2022-08-17 11:04:03

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