芯片用钽阻挡层材料织构控制技术研究

摘要

本文对半导体芯片技术的不同技术阶段和发展趋势进行了梳理,总结分析了钽阻挡层制备材料——钽靶材的技术现状和发展趋势;指出了在由8英寸晶圆用的8英寸钽靶材发展到目前最先进的12英寸晶圆用的12英寸钽靶材时,其织构要求发生的变化和织构控制的难点;CNMNC采用SPD和WR塑性变形技术,进行织构控制,攻克了这一难题,得到了满足12英寸晶圆用的12英寸钽靶材,并对CNMNC钽靶材织构的测量体系进行了介绍;最后对未来半导体芯片技术发展进行了介绍,并对钽靶材的市场前景进行了展望.