新型光罩缩减技术

摘要

本文设计并研制了一种与现行的TFT-LCD Array4mask技术兼容的新型光罩缩减技术,并评估了正性光阻和负性光阻的制程能力.实验结果表明,调节干刻制程中氧气的含量及蚀刻时间,正性和负性光阻都可以形成很好的底层刻蚀形貌,利于光阻的剥离制程.另外,本技术进一步使用HTM光罩实现光阻的多种膜厚,而对于负性光阻,不同的曝光量,并不能调节光阻的膜厚,仅是改变光阻上下表面CD值.经验证,正性光阻可实现光罩缩减,只需使用三道光罩即可完成TFT-LCD Array制程.