对ESL层工艺温度影响非晶IGZO TFT性能的研究

摘要

非晶氧化物薄膜晶体管的背沟道非常敏感,物理轰击、氧含量的变化、等离子体损伤等都会很大程度的影响器件最后的电学性能.本工作通过对比实验,研究了ESL沉积工艺温度对IGZO TFT器件电学性能的影响.研究表明,更高的ESL沉积工艺温度,可以获得更高品质的ESL膜层,能够更有效的保护器件背沟道,免受后续工艺及外界环境的影响,从而提升器件性能.但是过高的工艺温度又将加剧ESL沉积工艺本身对器件背沟道的影响,甚至导致器件呈导体特性.需要非常精准的控制ESL层的工艺温度才能获得优异的TFT器件性能.