机译:沟道厚度对原子层沉积氧化铝电介质的非晶IGZO薄膜晶体管电性能的影响
α-IGZO TFTs; Channel thickness; Al_2O_3; Stability;
机译:沟道厚度对原子层沉积氧化铝电介质的非晶IGZO薄膜晶体管电性能的影响
机译:使用原子层沉积的IGZO通道和聚酰亚胺垫片改善垂直薄膜晶体管的器件性能
机译:沟道掺杂浓度和厚度对带有原子层沉积的AI_2O_3电介质的ln_(0.53)Ga_(0.47)As金属氧化物半导体晶体管的器件性能的影响
机译:使用原子层沉积的In-Ga-Zn-O薄膜的具有垂直沟道结构的透明氧化物薄膜晶体管
机译:高k电介质氧化锌薄膜晶体管的电不稳定性和界面电荷的研究。
机译:电子束沉积栅极电介质对a-IGZO薄膜晶体管的沟道宽度相关性能和可靠性的比较研究
机译:通道层厚度对喷墨印刷In-Ga-Zn氧化物薄膜晶体管电性能的影响
机译:超柔性,不可见的薄膜晶体管,由非晶金属氧化物/聚合物沟道层混合物制成。