沉银板银层下界面空洞关键影响因素的研究

摘要

近年来，化学沉银因操作简便、价格合理和性能优异等优点，越来越多的PCB板采用沉银作为最终表面处理工艺。化学沉银在广泛使用的同时，也出现了各种问题。沉银板银层下界面处铜层空洞情况影响着其后续焊接可靠性,而目前业界对沉银后银下铜层空洞的成因和影响因素研究较少,本文作者结合沉银制程,对沉银后界面处铜层空洞形成机理及影响因素进行分析,指出沉银过程中原电池效应、反应速率过快、药水残留是导致沉银板银下铜层空洞的可能原因,并设计L8(26)正交试验验证相应因素对沉银后铜层空洞的影响.然后采用激光离子束研磨及场发射电镜观察银下铜层空洞,结果显示:微蚀剂是影响空洞的关键因素,不同微蚀剂微蚀后铜面粗糙程度和表面形态不同,沉银时铜面各处置换反应速率和原电池效应不同,局部反应速率过快处银离子来不及沉积完全和凹陷较大处原电池腐蚀显著,易产生铜层空洞.