气相掺杂FZ单晶电阻率的控制

摘要

由于中子辐照能力有限,NTD单晶远不能满足需求,严重制约着FZ单晶生产。为了满足FZ单晶的需要,生产部门采用气相掺杂控制电阻率的方法制备FZ单晶。气相掺杂FZ单晶的生产规模,将在今后一段时期继续得到发展。本文主要介绍了用气相掺杂的方法,制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路,使气相掺杂时,既快速、准确的实现目标电阻率,又对单晶的轴向及径向电阻率均匀性进行调整,提高了气相掺杂FZ硅单晶的成品率。文中附有有关的实验图表。