公开/公告号CN103849927A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司;
申请/专利号CN201210505550.X
申请日2012-11-30
分类号C30B15/04(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人郭佩兰
地址 100088 北京市西城区新街口外大街2号
入库时间 2024-02-19 23:36:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-28
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/04 申请公布日:20140611 申请日:20121130
发明专利申请公布后的驳回
2015-07-29
专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B15/04 变更前: 变更后: 登记生效日:20150708 申请日:20121130
专利申请权、专利权的转移
2015-06-03
著录事项变更 IPC(主分类):C30B15/04 变更前: 变更后: 申请日:20121130
著录事项变更
2014-07-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/04 申请日:20121130
实质审查的生效
2014-07-02
著录事项变更 IPC(主分类):C30B15/04 变更前: 变更后: 申请日:20121130
著录事项变更
2014-06-11
公开
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机译: 使用连续Czochralski方法生长氮掺杂单晶硅锭的方法和通过该方法种植的单晶硅锭
机译: 使用浮区技术生长掺杂单晶硅半导体晶体的装置和方法
机译: 掺杂剂注入装置,掺杂剂注入方法以及包含该掺杂剂的硅单晶生长装置