首页> 中国专利> 一种直拉法生长低电阻率单晶硅用掺杂装置及掺杂方法

一种直拉法生长低电阻率单晶硅用掺杂装置及掺杂方法

摘要

一种直拉法生长低电阻率单晶硅用掺杂装置,包括固定支架、盛料杯、导流管、卸料杯、锥形底托及连接杆,固定支架上开设有通孔;盛料杯穿过该通孔并由其外壁上的凸缘搭载在固定支架上,盛料杯的下端连接导流管;卸料杯呈两端开口的筒状,其外壁上设有凸缘,该卸料杯套设在该盛料杯内,并可以沿盛料杯的内壁上下移动;锥形底托的下端恰与卸料杯的内壁接触,并可沿卸料杯的内壁上下移动;连接杆的上端连接单晶炉的籽晶提拉轴,并通过连接件连接固定支架,连接杆的下端连接锥形底托的上端。掺杂剂经锥形底托与卸料杯间形成的缝隙流入盛料杯,并通过导流管流进硅熔体中,能避免气态掺杂元素逃逸损失,生长出低电阻率、高掺杂的单晶硅。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-28

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/04 申请公布日:20140611 申请日:20121130

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-07-29

    专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B15/04 变更前: 变更后: 登记生效日:20150708 申请日:20121130

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-06-03

    著录事项变更 IPC(主分类):C30B15/04 变更前: 变更后: 申请日:20121130

    著录事项变更

  • 2014-07-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/04 申请日:20121130

    实质审查的生效

  • 2014-07-02

    著录事项变更 IPC(主分类):C30B15/04 变更前: 变更后: 申请日:20121130

    著录事项变更

  • 2014-06-11

    公开

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