6H-SiC上SiCGe薄膜的光致发光研究

摘要

对用热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC衬底上外延生长的SiCGe单晶薄膜进行了变温光致发光(PL)测试,测试温度从13K到300K。发现PL峰的强度随着激光辐照过程的持续而升高,并伴随有谱带的展宽和峰位的变化。在13K到150K的温度范围内,PL谱呈现双峰特征,两个峰分别位于470和630nm处,随着测试温度的升高,位于630tim处的PL峰逐渐增强,而位于470 nm处的PL峰则逐渐减弱。当测试温度提高到150K以上时,500 nin处出现新的PL峰且随着温度的升高逐渐增强,630nm则相应减弱。