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孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽;
中国电子学会;
广州市科协;
稀磁半导体; 氮化镓薄膜; 离子注入; 室温铁磁性; 铁磁性质; x射线衍射;
机译:锰注入非极性a面GaN薄膜的结构,形貌和磁性
机译:钛氧化物纳米粒子旋涂在r面蓝宝石衬底上:对非极性a面GaN和InGaN / GaN多量子阱的结构和光学性质的影响
机译:溶胶-凝胶法制备p型Mn掺杂SnO_2纳米结构薄膜的光学,电学和形貌性质
机译:非极性(11(2)0)和半极性(11(2)6)GaN薄膜的微观结构,通过MBE在R面蓝宝石上生长
机译:等离子体辅助分子束外延生长非极性和半极性氮化镓:薄膜微观结构,相互晶格和传输性质之间的关系。
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:在非极性和半极性取向上生长的有序GaN和InGaN纳米柱的形貌和光学性质
机译:mN掺杂GaN薄膜和p-I-N器件的磁性和光学性质
机译:Mn基铁磁薄膜和基于MN的铁磁薄膜的制造方法
机译:基于MN的铁磁薄膜,其制造方法和磁隧道结装置,具有基于MN的铁磁薄膜
机译:用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
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