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室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究

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采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在分析的10~300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.

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来源
《第五届中国功能材料及其应用学术会议》|2004年|1212-12141218|共4页
会议地点秦皇岛
作者
刘志凯; 宋书林; 陈诺夫; 尹志岗; 柴春林; 杨少延;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国金属学会;

中国稀土学会;

中国复合材料学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类磁性半导体、磁阻半导体;薄膜技术;
关键词
氮化镓; 磁性半导体; 晶格常数; 铁磁性;
入库时间 2022-08-17 11:18:34

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