反式对称取代的偶氮苯磺酸衍生物插层材料结构的理论研究

摘要

基于密度泛函理论(DFT),在6—31G(d,p)基组水平上,采用B3LYP和B3PW91方法,对反式-4,4’-偶氮苯磺酸(trans-4,4’-AbS)和反式-3,3’-偶氮苯磺酸(trails-3,3’-AbS)阴离子的电子结构进行优化.在相同计算级别下,优化具有D3d对称性的Mg/Al水滑石层板的结构单元.得到trans—Abs—LDH的主—客体相互作用的稳定结构.各体系的前线轨道分析结果表明,阴离子垂直于水滑石层板排列.trans-4,4’-AbS-lanIeUae层问通道高度约1.66 nm；trarB-3,3’-Abs—lamellae的约1.41nm.两种阴离子与层板作用的结合能均为负值,说明trans—AbS阴离子与Mg/Al—lamella的结合使总体系能量降低,使之更稳定.