Cu2O薄膜磁控溅射制备及特性分析

摘要

采用反应射频磁控溅射法,在氩-氧氛围制备Cu-O体系薄膜。在溅射功率、氩气流量一定的条件下,通过改变氧分压,得到不同成份的Cu-O体系薄膜。在氧分压较小条件下,薄膜中主要以金属铜为主,存在少量的Cu2O,随着氧分压的增加,Cu2O成分增加,在氧分压1.42×10-2pa时得到单相Cu2O薄膜。随着氧分压继续增加,Cu2O逐渐转变成CuO.薄膜成份通过X射线分析,薄膜电阻率采用四探针仪测量,薄膜光学特性采用紫外-可见光谱分析,并计算出本次实验所得单相Cu2O光学带隙为2.51eV.