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SiO2介质CMP专用大粒径硅溶胶的研究

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摘要

为满足介质CMP对平整度、去除速率、良好表面质量的要求,对其抛光液主要成分硅溶胶的生长进行研究,做了一系列关于硅溶胶生长的实验,在多次的分析比较之后,制备出了粒径均匀的大粒径硅溶胶.

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来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|96-99|共4页
会议地点北京
作者
王娟; 李薇薇; 张建新; 袁育杰; 刘玉岭;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类表面处理;
关键词
化学机械抛光; 硅溶胶; 大粒径; SiO2;

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