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SiGeHBT缓变基区的MBE生长

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利用分子束外延(MBE)方法,生长SiGeHBT的缓变基区.Ge的组分从集电极一侧线性缓变地向发射极一侧降低,由生长速率精确控制.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|379-382|共4页
会议地点昆明
作者
张静;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8;
关键词
分子束外延;

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