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自对准HBTT型发射极的制作

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本文比较了SF<,6>对钨(W)和硅(Si)的刻蚀特性,并利用硅片和钨靶结合的办法来得到WSi薄膜,利用WSi的侧向腐蚀特性来制作T型发射极金属,在此基础上实现了HBT发射极和基极的自对准.实验结果表明这一方法具有很大的灵活性和良好的可控性,满足了高性能自对准HBT制作的工艺要求.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|317-320|共4页
会议地点昆明
作者
郑坚斌;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8:TN305;
关键词
异质结双极晶体管;

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