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【24h】

Emitter size effects and recombination at the emitter periphery in self-aligned InP/GaAsSb/InP DHBTs

机译：自对准InP / GaAsSb / InP DHBT中发射极尺寸的影响和发射极外围的重组

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来源
《Indium Phosphide and Related Materials, 2005. International Conference on》|2005年|P.452-455|共4页
会议地点
作者
Tao N.; Liu H.G.; Bolognesi C.R.;
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正文语种
中图分类工业技术;
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