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高瑛; P.BERGMAN; B.MONEMAR;
中国物理学会;
发光中心; 锌; 光致发光; 光谱分析; 发光光谱; 谱; 低温; 氮化镓; 瞬态性能;
机译:氢化物气相外延在SiC上生长并掺杂Zn的高阻p-GaN薄膜的深中心研究
机译:使用恒定漏极电流深电平瞬态光谱法直接比较InAIN / GaN和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的陷阱
机译:通过低频噪声和深级瞬态光谱,再生P-GaN栅极的高电子迁移晶体管中的缺陷表征
机译:具有深Mg掺杂层的AlGaN / GaN金属绝缘体半导体电容器,其特征在于深能级瞬态光谱和光致发光
机译:残留气体对ZnO,GaN,ZnS纳米结构的场发射特性的影响,以及光对石墨烯电阻率的影响。
机译:GaN中Eu-Mg缺陷的迟滞光致变色开关链接了Mg受体的浅瞬态和深基态
机译:快速瞬态过程研究中心
机译:用于光电应用的晶圆键合方法(AlN,InN,GaN,AlInN,AlGaN,InGaN或AlInGaN)和(ZnS,ZnSe或ZnSSe)
机译:砖壁瞬态热过程研究的冷凝器模型
机译:GaN一种使用GaN基深学习模型产生图像的方法和装置
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