首页> 中文会议>第二届全国宽禁带半导体学术会议 >带隙缓变的p-GaN/n-InxGa1-xN太阳能电池

带隙缓变的p-GaN/n-InxGa1-xN太阳能电池

摘要

铟镓氮(InxGa1-xN)由于禁带宽度高,合适的光吸收系数,可与金属材料形成良好的欧姆接触等原因,在多结高效太阳能电池中作为蓝紫光吸收材料获得了应用,并达到实用化程度.本文模拟了带隙渐变的p-GaN/i-InxGa1-xN/n-InGaN异质结太阳能电池及常规固定带隙的p-GaN/i-InGaN/n-InGaN太阳能电池,研究了带隙渐变对电池光电转换效率的影响,并对比了带隙渐变与带隙固定情况下的电池效率变化.结果表明带隙渐变结构器件具有良好的光电响应性能及光电转换效率.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号