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脉冲Mo源制备超薄InAlGaN势垒层的HEMT研究

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基于MOCVD外延InAlGaN/GaN HEMT材料,其中7.5nm厚的InAlGaN势垒层采用脉冲Mo源工艺.研究不同组合的Mo源分时供源对势垒层的生长影响.其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的InAlGaN势垒层,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层的表面形貌和HEMT电学特性.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||77-78|共2页
会议地点西宁
作者
李忠辉; 李传皓; 彭大青; 张东国; 潘磊; 董逊; 罗伟科; 杨乾坤;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
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中图分类
关键词
高电子迁移率晶体管; 氮化物势垒层; 脉冲钼源; 表面形貌; 电学特性;

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