Ni离子注入GaN的结构和形貌的研究

摘要

稀磁半导体材料是在半导体材料掺入少量的磁性离子,从而使半导体材料去有磁性,稀磁半导体由于具有磁性、磁光和磁输运等新的物理效应,可以制成各种新型的功能器件,如稀磁半导体超晶格和量子肼、高密度非易失性存储器、磁感应器件、光隔离器件、半导体激光器集成电路及量子计算机等.因此,稀磁半导体材料制成的电子自旋器件有广阔的应用前景.采用Ni离子注入MOCVD方法外延生长p-GaN。Ni离子注入能量为150keV，注入剂量为1×l0 15cm-2、l×l0 16cm-2、1×l0 17cm-2。对Ni离子注入后的GaN样品进行700℃、800℃、和1000℃的快速热退火处理。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)来分析GaN薄膜的结构和形貌。