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叶志镇;
中国电子学会;
真空;
机译:具有超高真空化学气相沉积(UHV / CVD)外延的外延基晶体管:增强的轮廓控制,在器件设计中具有更大的灵活性
机译:使用低温RF-PECVD在硅片种植的锗MOS电容器
机译:通过UHVCVD和LPCVD在低温下使用高级硅烷使用高阶硅烷的Si和SiGe的外延生长
机译:通过超高真空CVD生长具有超薄外延沟道层的第十微米p-MOSFET
机译:铜/金(111)-(22乘以3的平方根)期间的应力和结构演变:外延外延研究:UHV-STM(超高真空扫描隧道显微镜)
机译:通过RPCVD在低温下基于高质量的Si基外延生长的过程步骤
机译:等离子体辅助CVD低温3C-SiC / Si(111)异质外延生长的研究
机译:超高真空技术对硅结的低温外延。
机译:超高真空锗在硅上异质外延生长-CVD
机译:使用超高真空化学气相沉积技术和其中使用的间歇式超高真空化学气相沉积装置选择性地形成外延半导体层的方法
机译:单晶硅片,单晶硅片和外延硅片
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