首页> 中国专利> 在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法

在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法

页面导航

摘要

本发明公开了一种在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法，它可以在较短时间和较低温度下进行，进而简化了工艺，降低了成本，另外还避免了对硅表面的损伤。它包括如下步骤：第一步，向硅片的反应腔中通入气体ClF

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-09-29

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B25/02 公开日:20080604 申请日:20061120

发明专利申请公布后的驳回
2008-07-30

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-06-04

公开

公开

1. 在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法 [P] . 中国专利： CN101191252A . 2008-06-04
2. 在硅片低温外延生长前去除自然氧化层的方法 [P] . 中国专利： CN101191251A . 2008-06-04
3. METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE,IN WHICH A SILICON SLICE IS LOCALLY PROVIDED WITH FIELD OXIDE WITH A CHANNEL STOPPER [P] . IE57557B1 . 1992-12-16

机译：制造硅片的方法，其中硅片局部装有带通道塞的场氧化层
4. METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE, IN WHICH A SILICON SLICE IS LOCALLY PROVIDED WITH FIELD OXIDE WITH A CHANNEL STOPPER [P] . CA1269593A . 1990-05-29

机译：制造硅片的方法，其中硅片局部装有带通道塞的场氧化层
5. Method for low-temperature, hetero-epitaxial growth of thin film cSi on amorphous and multi-crystalline substrates and c-Si devices on amorphous, multi-crystalline, and crystalline substrates [P] . 美国专利： US2006208257A1 . 2006-09-21

机译：在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶，多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法