高阻硅基底X波段微带天线MEMS制造中的反演规律研究

摘要

高阻硅基底X波段阵列式微带天线的电性能与其结构几何尺寸密切相关.现有的MEMS加工工艺会产生制造误差.为了有效地控制加工误差,以及为加工工艺提供加工精度参考,本文通过HFSS软件分别对高阻硅腹背面方形池深槽刻蚀深度、辐射贴片中心偏移和辐射贴片电镀厚度的误差对天线的电压驻波比、回波损耗和增益的影响进行了仿真分析.仿真分析表明,深槽刻蚀深度是影响天线电性能指标的关键尺寸,在加工过程中深槽刻蚀深度误差应控制在±9μm内,相对误差为4％.最后,建立了深槽刻蚀深度与电压驻波比之间的函数关系,得到反演规律.结合加工样品的电性能测试数据,验证了反演规律对天线的实际尺寸进行预测的可行性.